Velocidade de leitura DDR4. RAM DDR4 SDRAM

A gama de memórias DDR4 disponíveis no mercado está aumentando gradativamente. Até o momento, esta memória é compatível apenas com placas-mãe baseadas no chipset Intel X99 e, consequentemente, processadores de codinome Haswell-E (soquete LGA2011-v3). Na verdade, o fato de a memória DDR4 ser compatível apenas com o especificado Plataforma Intel, já significa que ele foi projetado para os PCs mais potentes disponíveis atualmente. Todas as placas-mãe ligadas Chipset Intel O X99 suporta até 64 GB de memória DDR4 no modo quad-channel (assumindo que a placa tenha oito slots de memória). Vamos imediatamente fazer uma reserva de que estamos falando de memória não ECC sem registro (UDIMM). O fato é que algumas placas com chipset Intel X99 suportam processadores de servidor da família Intel Xeon E5 v.3 (possuindo o mesmo soquete LGA2011-v3 e a mesma arquitetura de processador). Neste caso, é suportada memória ECC, tanto registrada (RDIMM) quanto não registrada (UDIMM), e a capacidade máxima de memória já é de 128 GB. No entanto, não consideraremos a memória do servidor neste artigo e, no futuro, por memória DDR4 significaremos memória sem registro sem ECC.

Quanto à capacidade dos módulos de memória DDR4, estão disponíveis à venda módulos com capacidade de 4 GB (estes são os mais comuns) e 8 GB. A memória DDR4 é vendida tanto na forma de módulos individuais quanto na forma de kits compostos por dois, quatro e até oito módulos. Mas os mais comuns são conjuntos de quatro módulos de memória (conjuntos de quatro canais). Conseqüentemente, a capacidade total desse kit pode ser de 16 ou 32 GB. Os mais comuns no mercado hoje são conjuntos de memória de quatro canais com capacidade total de 16 GB, ou seja, conjuntos de quatro módulos de memória com capacidade de cada módulo de 4 GB.

A frequência mínima de memória DDR4 exigida pelo padrão é 1066 MHz. Conseqüentemente, a frequência efetiva neste caso é 2.133 MHz (memória DDR4-2133) e a largura de banda é 17.056 MB/s (no modo de canal único). A frequência máxima de memória fornecida pelo padrão é 2.133 MHz, sua frequência efetiva neste caso é 4.266 MHz (memória DDR4-4266) e a largura de banda é 34.128 MB/s (no modo de canal único). É verdade que a frequência de 2133/4266 MHz é uma reserva para o futuro, enquanto essa memória não estiver à venda. Na verdade, hoje no mercado existem memórias com frequência efetiva de 2.133 MHz a 3.000 MHz, e parece que apenas a memória DDR4-2133 é padronizada, e memória mais rápida é implementada por meio de perfis XMP.

Via de regra, módulos de memória DDR4 mais caros e mais rápidos são equipados com dissipadores de calor que não têm outra finalidade senão atrair a atenção dos usuários. Os dissipadores de calor nos módulos de memória são puramente decorativos e, em geral, inúteis, uma vez que os chips de memória simplesmente não esquentam o suficiente para exigir resfriamento usando dissipadores de calor. Não sejamos infundados e confirmemos o que foi dito com fatos. Para demonstrar a inutilidade dos dissipadores de calor nos módulos de memória, utilizamos um pirômetro, que nos permite determinar remotamente as mudanças de temperatura. Para o teste, foi utilizado um módulo de memória DDR4-2133 (15-15-15) sem dissipador de calor, a tensão de alimentação foi de 1,2 V. No modo inativo, a temperatura dos chips de memória foi de 31,2 °C, e ao carregar a memória usando a memória de teste de estresse do Stress System no utilitário AIDA64, a temperatura dos chips de memória aumentou para 35,5 °C. Ao fazer overclock da mesma memória para uma frequência de 2.400 MHz e uma tensão de alimentação de 1,35 V, no modo inativo a temperatura dos chips de memória era de 32,7 °C, e quando a memória foi carregada aumentou para 38,1 °C. É claro que em tais temperaturas simplesmente não há sentido em radiadores. Além disso, todos os módulos de memória DDR4 de 4 GB são unilaterais, o que significa que os chips de memória estão localizados em um lado do módulo. Parece que se você colar o radiador, apenas de um lado. No entanto, os dissipadores de calor nesses módulos de memória estão sempre em ambos os lados - é apenas mais bonito assim.

Agora sobre o custo. Como primeira aproximação, a memória DDR4 custa aproximadamente 1 mil rublos por 1 GB. Ou seja, um módulo de memória com capacidade de 4 GB custa aproximadamente 4 mil rublos, e um módulo de memória com capacidade de 8 GB custa 8 mil rublos. No entanto, você precisa ter em mente que dissipadores de calor decorativos e frequências operacionais declaradas mais altas levam a um aumento no custo da memória. Ou seja, um módulo de memória DDR4-3000 será mais caro que um módulo de memória DDR4-2133 (com igual capacidade).

Série de desempenho AMD Radeon R7 (R744G2133U1S)

Por mais estranho que possa parecer, a AMD produz conjuntos de memória DDR4 que atualmente são compatíveis apenas com processadores Intel. No entanto, isto é modestamente mantido em silêncio e, portanto, para encontrar qualquer informações técnicas sobre a memória DDR4 não é possível lá. Aparentemente, o orgulho não permite que esse fato seja divulgado, mas a empresa não quer abrir mão de ganhar dinheiro.

De acordo com as informações que temos, a AMD oferece atualmente dois kits de memória DDR4 de quatro canais, que diferem apenas na capacidade: são conjuntos de quatro módulos com capacidade total de 32 GB (R748G2133U2S) e conjuntos de quatro módulos com capacidade total de 16 GB (R744G2133U1S). Para ambos os conjuntos, a frequência da memória é 2.133 MHz e os tempos são 15-15-15-36.

A seguir, veremos um kit de memória de quatro módulos com capacidade total de 16 GB (R744G2133U1S), que pertence à série AMD Radeon R7 Performance. Como já observado, os módulos de memória AMD R744G2133U1S têm frequência de 2.133 MHz e temporizações de 15-15-15-36, e a tensão de alimentação é de 1,2 V (este é o valor padrão).

A frequência de memória declarada é baixa (este é o valor mínimo para DDR4), mas há uma grande probabilidade de que esta memória possa operar em uma frequência mais alta.

Os módulos de memória são equipados com radiadores de resfriamento cinza escuro, que são duas placas metálicas coladas em cada lado do módulo. Além disso, os próprios módulos são unilaterais, ou seja, os chips de memória estão localizados em apenas um lado.

Em nossa bancada de testes com as configurações padrão no UEFI BIOS, a memória AMD Radeon R7 Performance Series (R744G2133U1S) inicializou na frequência de 2133 MHz com temporizações de 15-15-15-36, ou seja, exatamente como deveria ser .

Além disso, descobriu-se que a memória pode operar na frequência de 2.400 MHz. Quando a memória inicia nesta frequência, os tempos são automaticamente definidos para 18-18-18-40, mas a uma frequência de 2.400 MHz dada memória também pode trabalhar com horários 18-11-11-36.

A seguir estão os resultados do teste no programa AIDA64 para um conjunto de módulos de memória AMD Radeon R7 Performance Series (R744G2133U1S) com configurações padrão (DDR4-2133; 15-15-15-36) e com overclock (DDR4-2400; 18-11 -11-36).

Geil Evo Potenza GPR416GB3000C16QC

O kit de memória de quatro canais Geil GPR416GB3000C16QC pertence à série. São quatro módulos de memória DDR4-3000 com capacidade total de 16 GB (4 × 4 GB). Os módulos de memória estão equipados com radiadores de refrigeração cor de vinho. Os próprios módulos de memória são unilaterais, ou seja, todos os chips de memória estão localizados em um lado. Em geral, deve-se notar que os radiadores na memória, digamos, não parecem impressionantes. A espessura das placas com que é feito o radiador é inferior a 1 mm. A altura do módulo de memória com radiador é de 47 mm.

Segundo informações no site do fabricante, na frequência de 3.000 MHz, os módulos de memória Geil Evo Potenza GPR416GB3000C16QC podem operar com temporizações de 16-16-16-36 com tensão de alimentação de 1,35 V. Além disso, este modo de operação dos módulos de memória é garantido quando o perfil XMP é ativado.

Observe que a série Geil Evo Potenza de memória Quad Channel também inclui kits de memória DDR4-2133/2400/2666/2800, bem como memória DDR4-3200 mais rápida. Os kits de memória quad-channel Geil Evo Potenza DDR4-3000 também podem ser diferentes: assim, além dos kits de 16 GB, também existem kits com capacidade total de 32 GB. Os tempos de memória também podem ser diferentes: 15-15-15-35 ou 16-16-16-36. Levando em consideração duas capacidades possíveis e dois conjuntos de temporizações, a série Geil Evo Potenza DDR4-3000 inclui quatro conjuntos de memória:

• GPR416GB3000C15QC: tempos 15-15-15-35, volume total 16 GB;
• GPR416GB3000C16QC: tempos 16-16-16-36, volume total 16 GB
• GPR432GB3000C15QC: tempos 15-15-15-35, volume total 32 GB;
• GPR432GB3000C16QC: tempos 16-16-16-36, volume total 32 GB.

Agora vamos falar sobre as dificuldades que encontramos ao testar a memória Geil Evo Potenza GPR416GB3000C16QC.

Em primeiro lugar, notamos que a frequência declarada de 3000 MHz com temporizações 16-16-16-36 e uma tensão de alimentação de 1,35 V são características do perfil XMP. E, claro, não é fato que esse perfil funcionará em qualquer placa e que a memória até “iniciará” nessa frequência. Como mostra a prática, existem placas baseadas no chipset Intel X99 que, com as configurações padrão do UEFI BIOS, tentam ativar imediatamente o perfil XMP e fazer a memória funcionar com as características especificadas. Com essas placas, este kit de memória terá grandes problemas e, muito provavelmente, simplesmente não funcionará. Em particular, testamos este kit de memória em três placas (Gigabyte GA X99-Gaming G1 WIFI, Asus Rampage V Extreme e ASRock Fatal1ty X99X Killer) e descobrimos que a placa ASRock Fatal1ty X99X Killer não é compatível com esta memória.

Mas nas placas Gigabyte GA X99-Gaming G1 WIFI e Asus Rampage V Extreme com Configurações UEFI BIOS padrão, memória Geil Evo Potenza GPR416GB3000C16QC foi detectada de forma diferente.

Então, caso Placas Asus O kit de memória Rampage V Extreme Geil Evo Potenza GPR416GB3000C16QC é definido como DDR4-2400 com temporizações 17-15-15-35 (tensão de alimentação 1,2 V).

No caso da placa WIFI Gigabyte GA X99-Gaming G1, o mesmo kit de memória foi definido como DDR4-2400, mas com temporizações de 16-16-16-35.

Agora sobre o mais importante. Em nenhuma de nossas placas de teste a memória Geil Evo Potenza GPR416GB3000C16QC foi capaz de trabalhar com as configurações definidas no perfil XMP, ou seja, em uma frequência efetiva de 3000 MHz com temporizações de 16-16-16-36 e uma tensão de alimentação de 1,35 V. Se instalar manualmente em UEFI Frequência do BIOS 3000 MHz, temporizações 16-16-16-36 e tensão de alimentação 1,35 V, o sistema não inicializa. Também tentamos diminuir os tempos para 3.000 MHz, mas foi tudo em vão. Nessa frequência a memória recusava-se a funcionar.

Por tentativa e erro, descobriu-se que nosso kit de memória Geil Evo Potenza GPR416GB3000C16QC pode operar a uma frequência máxima de 2.666 MHz, não superior. Na verdade, a frequência declarada de 3.000 MHz acabou sendo simplesmente uma farsa. No entanto, não faremos declarações tão barulhentas e esclareceremos que especificamente nosso kit de memória Geil Evo Potenza GPR416GB3000C16QC com nosso processador específico Intel Core i7-5960X e o nosso Placa gigabyte GA X99-Gaming G1 WIFI não atende às especificações declaradas.

Para 2.666 MHz os melhores tempos que encontramos foram: 13-14-14-30. Com essas temporizações na frequência de 2.667 MHz, tudo funciona de forma estável, sem congelamento.

A seguir estão os resultados do teste no programa AIDA64 para um conjunto de módulos de memória Geil Evo Potenza GPR416GB3000C16QC com configurações padrão (DDR4-2400; 16-16-16-35) e com overclock (DDR4-2667; 13-14-14-30 ).

Kingston HyperX Predator HX424C12PBK4/16

A memória Kingston HyperX Predator HX424C12PBK4/16 pertence à série de memórias para overclockers Kingston HyperX Predator.

Conforme decorre das informações, a empresa produz uma ampla gama de kits de memória DDR4. A capacidade dos kits pode ser de 16, 32 e 64 GB, o número de módulos em um kit pode ser quatro ou oito e a capacidade de um módulo pode ser de 4 ou 8 GB. Ao mesmo tempo, a empresa produz kits de memória DDR4 com frequências efetivas de 2.133, 2.400, 2.666, 2.800 e 3.000 MHz.

No site da Kingston existe uma forma de decifrar o nome do módulo de memória. Usando essas informações, você pode entender que o nome do módulo HX424C12PBK4/16 criptografa as seguintes informações: este é um módulo de memória UDIMM DDR4-2400 com latência CAS 12 A memória pertence à série HyperX Predator, está equipada com um dissipador de calor preto. , e a capacidade total do conjunto de quatro módulos é de 16 GB.

Em nossa bancada de testes com configurações padrão do UEFI BIOS, a memória Kingston HyperX Predator HX424C12PBK4/16 iniciou a 2133 MHz com temporizações de 15-15-15-36 e uma tensão de alimentação de 1,2 V.

A frequência prometida de 2.400 MHz com horários 12-13-13-35 é implementada através do perfil XMP. Além disso, para a memória Kingston HyperX Predator HX424C12PBK4/16 existem dois perfis XMP: um para uma frequência de 2400 MHz com temporizações 12-13-13-35 a uma tensão de alimentação de 1,4 V, e o segundo? para uma frequência de 2133 MHz, mas com temporizações 13-13-13-36 e tensão de alimentação de 1,2 V.

Quando o primeiro perfil XMP é ativado no UEFI BIOS (para uma frequência de 2.400 MHz), a memória, como deveria, inicia na frequência de 2.400 MHz com temporizações de 12-13-13-35 a uma tensão de alimentação de 1,4 V. No entanto, manualmente para uma frequência de 2.400 MHz Você também pode selecionar temporizações mais curtas. Em particular, em nossa bancada de testes a memória funcionou com temporizações de 12-12-12-35 (a uma frequência de 2.400 MHz).

Mas não conseguimos executar a memória Kingston HyperX Predator HX424C12PBK4/16 em uma frequência mais alta (2600 MHz), mesmo com temporizações mais grosseiras.

AData XPG AX4U2400W4G16-QRZ

Empresa AData em duas séries: Consumer (usuário) e Gaming (jogo). Há também memória de servidor, mas não estamos considerando isso agora. O kit de memória pertence à série Gaming.

Não vale a pena nesse caso leve a palavra Jogos a sério. Este é apenas um posicionamento mercadológico de memória, que visa chamar a atenção. A memória da série Gaming difere da série Consumer regular pela presença de radiadores decorativos (os radiadores não têm outro significado) e pelo fato de a memória da série Gaming ser mais rápida.

A série AData Gaming apresenta uma grande número vários kits de memória. Além disso, qualquer módulo de memória da série AData Gaming pode ser adquirido separadamente (um módulo), em um conjunto de dois módulos ou em um conjunto de quatro módulos. Além disso, módulos de 4 GB e 8 GB estão disponíveis. É precisamente por isso que a gama de possíveis kits de memória DDR4 da AData Gaming é muito ampla.

Porém, não é difícil compreender esse sortimento. Há memória DDR4-2133 com tempos de 13-13-13 e 15-15-15. Levando em consideração a capacidade possível dos módulos (4 e 8 GB), bem como as diferentes configurações dos conjuntos (um, dois e quatro módulos), descobrimos que existem doze opções apenas de memória DDR4-2133.

Em seguida, há memória DDR4-2400 com tempos 16-16-16, memória DDR4-2666 com tempos 16-16-16, memória DDR4-2800 com tempos 17-17-17 e memória DDR4-3000 com tempos 16-16- 16. Novamente, qualquer memória pode ser representada em conjuntos de um, dois ou quatro módulos, e a capacidade do módulo pode ser de 4 ou 8 GB.

Há também memória DDR4-3200/3300/3333 mais rápida. Mas para esta memória os tempos são apenas 16-16-16, e os módulos têm capacidade de 4 GB.

A seguir, veremos um conjunto de quatro módulos de memória AData XPG AX4U2400W4G16-QRZ. Como você pode facilmente adivinhar pelo nome, estamos falando de módulos de memória DDR4-2400 com temporizações 16-16-16. A tensão de alimentação para esses módulos de memória é de 1,2 V.

Em nossa bancada de testes com configurações padrão do UEFI BIOS, a memória AData XPG AX4U2400W4G16-QRZ iniciou a 2.133 MHz com temporizações de 15-15-15-36 e uma tensão de alimentação de 1,2 V.

A frequência prometida de 2.400 MHz com tempos de 16-16-16 é implementada através do perfil XMP.

Quando o perfil XMP é ativado no UEFI BIOS, a memória, como deveria, inicia na frequência de 2.400 MHz com temporizações de 16-16-16-39.

Não foi possível executar a memória AData XPG AX4U2400W4G16-QRZ em uma frequência mais alta. No entanto, a uma frequência de 2.400 MHz, melhores temporizações podem ser selecionadas. Os melhores tempos que conseguimos encontrar para esta memória na frequência de 2.400 MHz foram 13-12-12-36.

AData AD4U2133W4G15-B

Se o kit AData anterior pertencia à série de jogos, então o kit de memória pertence à série Consumer, ou seja, à série mais simples de memória DDR4.

A série Consumer inclui dois tipos de módulos de memória DDR4-2133: 4 GB e 8 GB. No primeiro caso, os módulos são denominados AData AD4U2133W4G15-B, e no segundo - AData AD4U2133W8G15-B. Todas as outras características dos módulos são absolutamente iguais. A frequência efetiva da memória é 2.133 MHz, os tempos são 15-15-15-36 e a tensão de alimentação é 1,2 V. Os módulos de memória com capacidade de 4 GB são unilaterais e são baseados em chips de memória SKhynix H5AN4G8NMFR (8 chips de 512 MB cada).

Observe que não há dissipadores de calor nos módulos de memória AData AD4U2133W8G15-B.

Em nossa bancada de testes com configurações padrão do UEFI BIOS, a memória AData AD4U2133W8G15-B inicializou sem problemas em total conformidade com a especificação, ou seja, na frequência de 2133 MHz com temporizações de 15-15-15-36 e com alimentação tensão de 1,2 V.

Além disso, descobriu-se que esta memória pode operar a uma frequência de 2.400 MHz. Ao definir esta frequência, as temporizações no modo automático são definidas para 16-17-17-40. Os melhores tempos que conseguimos selecionar para esta memória sem perda de estabilidade foram 14-14-14-36.

Teste

Assim, no total, cinco conjuntos de memória DDR4 de quatro canais participaram de nossos testes, cada um deles testado em dois modos de operação: com configurações padrão e com configurações correspondentes ao overclock máximo.

Em primeiro lugar, notamos que todos os kits de memória, com exceção de Geil Evo Potenza GPR416GB3000C16QC, foram definidos por padrão como memória DDR4-2133 com temporizações de 15-15-15-36. Em todos os nossos testes, todos os kits no modo DDR4-2133 com temporizações de 15-15-15-36 produziram resultados quase idênticos. E para não sobrecarregar o artigo com dados desnecessários, no futuro falaremos simplesmente sobre memória DDR4-2133 com temporizações 15-15-15-36, ou seja, qualquer kit com configurações padrão - com exceção de Geil Evo Potenza Memória GPR416GB3000C16QC.

Para testes utilizamos um estande com a seguinte configuração:

• Processador Intel Core i7-5960X;
• placa-mãe Gigabyte X99-Gaming G1 WI-FI;
• Chipset Intel X99;
• SSD Intel série 520 (240 GB):
• sistema operacional Windows 8.1 (64 bits).

As medições de desempenho foram realizadas usando aplicativos reais do nosso script de teste iXBT Application Benchmark 2015. Consideramos a utilização de testes sintéticos, tão apreciados pelos fabricantes de memórias, neste caso simplesmente inútil, uma vez que os “papagaios” que produzem nada têm a ver com a realidade.

Do pacote iXBT Application Benchmark 2015, excluímos intencionalmente testes cuja velocidade de execução depende do subsistema de armazenamento de dados (velocidade de cópia, velocidade de instalação e desinstalação de aplicativos, etc.). Além disso, o teste Adobe After Effects CC 2014.1.1 (Teste #2) foi excluído. O fato é que para este teste no caso de utilização de 8 núcleos (16 núcleos lógicos) Processador Intel Core i7-5960Xé aconselhável usar não 16, mas 32 GB de memória. EM de outra forma o teste será realizado sem tecnologia de multiprocessamento ou será necessário reduzir à força o número de núcleos de processador usados. Em suma, é mais fácil excluir este teste, especialmente porque o método inclui outro teste usando o aplicativo Adobe After Effects CC 2014.1.1. Além disso, excluímos testes que apresentam grande erro de medição e requerem grande número de repetições para obter um resultado confiável. Ao testar a memória, quando a alteração de frequências e temporizações leva apenas a um aumento insignificante no desempenho, é muito importante usar testes nos quais o resultado tenha uma repetibilidade muito boa (com um pequeno erro de medição).

Como resultado, deixamos os seguintes testes:

• MediaCoder x64 0.8.33.5680,
• Adobe Premiere Pró CC 2014.1,
• Adobe After Effects CC 2014.1.1,
• Produtor Photodex ProShow 6.0.3410,
• Adobe Photoshop CC 2014.2.1,
• ACDSee Pro 8
• Adobe Illustrator CC 2014.1.1,
• Adobe Audition CC 2014.2,
• WinRAR 5.11, arquivamento,
• WinRAR 5.11, descompactando.

Então, vamos começar com um teste de transcodificação de vídeo usando o aplicativo MediaCoder x64 0.8.33.5680. Como vemos, esta tarefa não é muito sensível à velocidade da memória: o pior resultado difere do melhor em apenas 6%. É interessante notar que a memória Geil Evo Potenza a 2.667 MHz com temporizações 13-14-14-30 mostra o mesmo resultado que a memória Kingston HyperX Predator a 2.400 MHz com temporizações 12-12-12-35. E a 2.400 MHz (com temporizações 16-16-16-35), a memória Geil Evo Potenza tem desempenho aproximadamente igual à memória DDR4-2133.

No Adobe Premiere Pro CC 2014.1 obtemos um resultado semelhante. A diferença no tempo de execução do teste entre as memórias DDR4-2133 e DDR4-2400 é de aproximadamente 5%. E em este teste A memória Geil Evo Potenza a 2667 MHz com temporizações 13-14-14-30 mostra o mesmo resultado que qualquer outra memória no modo DDR4-2400. E a 2.400 MHz (com temporizações 16-16-16-35), a memória Geil Evo Potenza tem desempenho aproximadamente igual à memória DDR4-2133.

No teste baseado no aplicativo Adobe After Effects CC 2014.1.1, a diferença entre os piores e os melhores resultados não passa de 5%. Mais uma vez, a memória Geil Evo Potenza a 2667 MHz com tempos de 13-14-14-30 mostra o mesmo resultado que qualquer outra memória no modo DDR4-2400. E a 2.400 MHz (com temporizações 16-16-16-35), a memória Geil Evo Potenza tem desempenho aproximadamente igual à memória DDR4-2133.

Photodex ProShow Producer 6.0.3410 é um pouco mais sensível à velocidade da memória e em nosso teste a diferença entre os piores e os melhores resultados é de cerca de 6%. Mas, novamente, a memória Geil Evo Potenza mais rápida a 2.667 MHz tem o mesmo desempenho que qualquer outra memória DDR4-2400, e a 2.400 MHz os resultados da memória Geil Evo Potenza são comparáveis ​​aos resultados da DDR4-2133.

Adobe Photoshop CC 2014.2.1 revelou-se insensível à velocidade da memória. No nosso teste, a diferença entre os piores e os melhores resultados foi de cerca de 3,5%. E, novamente, a “estranha” memória Geil Evo Potenza a 2.667 MHz tem desempenho quase igual ao de qualquer outra memória DDR4-2400, e a 2.400 MHz os resultados da memória Geil Evo Potenza são comparáveis ​​aos resultados da DDR4-2133.

No teste com o aplicativo ACDSee Pro 8, a dependência da velocidade da memória é muito insignificante: a diferença entre o pior e o melhor resultado foi de cerca de 1,5%. A memória Geil Evo Potenza não nos surpreendeu com nada agradável: na frequência de 2.667 MHz ela tem desempenho aproximadamente igual a qualquer outra memória DDR4-2400, e na frequência de 2.400 MHz os resultados da memória Geil Evo Potenza são até ligeiramente pior do que os resultados de DDR4-2133.

No teste com o aplicativo Adobe Illustrator CC 2014.1.1, nada depende da velocidade da memória. Aqui, para todos os conjuntos de memória em diferentes modos de operação, são obtidos os mesmos resultados.

Mas no teste com o aplicativo Adobe Audition CC 2014.2, a dependência da velocidade da memória, embora insignificante, está presente: a diferença entre o pior e o melhor resultado foi de 4,8%. Para a memória Geil Evo Potenza, como em outros casos, obtemos o seguinte: em 2.667 MHz ela tem um desempenho um pouco pior do que qualquer outra memória DDR4-2400, e em 2.400 MHz os resultados da memória Geil Evo Potenza são aproximadamente os mesmos que os resultados de DDR4-2133.

No teste de arquivamento utilizando o aplicativo WinRAR 5.11, a diferença entre o pior e o melhor resultado foi de 5,6%. A memória Geil Evo Potenza a 2.667 MHz tem desempenho um pouco pior do que qualquer outra memória DDR4-2400, e a 2.400 MHz os resultados da Geil Evo Potenza são quase iguais aos da DDR4-2133.

No teste de descompactação utilizando o aplicativo WinRAR 5.11, a diferença entre o pior e o melhor resultado foi de 4%. E como sempre, a memória Geil Evo Potenza a 2.667 MHz mostra resultados típicos de memória DDR4-2400, e a 2.400 MHz resultados típicos de DDR4-2133.

Conclusões

Na verdade, as conclusões que podem ser tiradas dos nossos testes são bastante previsíveis. Não há nenhum ponto específico na memória DDR4 de alta velocidade hoje, e a opção DDR4-2133 é suficiente para a maioria dos aplicativos de usuário. O aumento máximo de desempenho que pode ser obtido usando memória DDR4-2400 de alta velocidade em vez da DDR4-2133 padrão é de cerca de 5%. E mais ainda, não encontramos nenhuma diferença significativa entre módulos/kits de diferentes fabricantes.

Além disso, como se viu, a memória de alta velocidade vendida sob o disfarce de DDR4-2400 é na verdade uma versão com overclock da memória DDR4-2133, ou seja, o modo operacional DDR4-2400 é implementado apenas por meio do perfil XMP . E muito provavelmente, se você comprar a memória DDR4-2133 mais comum, poderá transformá-la em DDR4-2400. Então, faz sentido pagar a mais?

A memória DDR4-3000 (Geil Evo Potenza GPR416GB3000C16QC) acabou sendo uma memória DDR4-2400 e simplesmente se recusou a funcionar na velocidade prometida de 3.000 MHz. Em geral, a memória Geil Evo Potenza GPR416GB3000C16QC é muito estranha. No modo DDR4-2667 (a frequência máxima em que foi capaz de funcionar) funciona como memória DDR4-2400, e no modo DDR4-2400 funciona como memória DDR4-2133. Na verdade, esse é um exemplo para quem acha legal memória de alta velocidade.

Quanto aos vários dissipadores de calor de formatos estranhos em módulos de memória de alta velocidade, como já dissemos, nada mais são do que um elemento decorativo. A memória DDR4 moderna, mesmo com tensão de alimentação aumentada para 1,4 V, não precisa de radiadores.

O surgimento da RAM DDR4 no mercado abalou a posição inabalável de seu antecessor. Possui características técnicas superiores e muitos usuários têm uma dúvida lógica: qual faixa de RAM é melhor? Numerosos testes e comparações BATER quarta geração com DDR3 mostram qual é a diferença entre eles. Ao escolher um módulo de memória DDR3, lembre-se de que ele não é compatível com DDR4.

Um computador é um dos componentes responsáveis ​​pelo seu desempenho: a velocidade de processamento da informação e a quantidade máxima de dados processados ​​​​em um determinado momento. Até 2015, a primeira posição era firmemente ocupada pela RAM DDR3 de terceira geração, mas com o advento do DDR4 a situação começou a mudar para a última modificação. O surgimento da RAM de quarta geração causou grande rebuliço no mercado de equipamentos de informática e, ao mesmo tempo, surgiu uma questão lógica: o que é melhor que DDR3 ou DDR4 e se a aparência modelo mais recente uma jogada de marketing normal?

História do desenvolvimento DDR4

A JEDEK começou a desenvolver RAM de quarta geração em 2005, quando a modificação mais moderna era DDR2. Os engenheiros da empresa já perceberam naquela época que a segunda geração de RAM não seria capaz de atender aos requisitos de processadores e outros componentes de PC em rápido desenvolvimento. Mesmo o lançamento anunciado de RAM de terceira geração não será capaz de dar conta da tarefa. Para resolver o problema, simplesmente melhorar a velocidade de processamento de dados, como foi feito no DDR3, não é suficiente. É necessário levar em consideração parâmetros como consumo de energia e volume, que afetam o rendimento do dispositivo.

Atenção! Para trabalhar com programas especializados: pacotes para desenho tridimensional, editores de fotos ou vídeos, o principal parâmetro para a escolha da RAM é o seu rendimento, ou seja, a velocidade de processamento da informação.

Em 2015, com o aparecimento no mercado Plataformas de soquete Os usuários de PC LGA1151 têm a oportunidade de produzir análise comparativa RAM de terceira e quarta geração nas mesmas condições.

Especificações

Antes de dizer que DDR3 ou DDR4 é melhor e compará-los, você deve se familiarizar detalhadamente com suas características e capacidades técnicas, bem como suas vantagens e desvantagens. Esta abordagem permitirá que você determine de forma correta e precisa o futuro dos módulos de memória e identifique um modelo promissor.

DDR3

As principais características da RAM, independente de sua geração, são as seguintes:

• Freqüência. A RAM do terceiro modelo está disponível nas frequências de 1.066 MHz, 1.333 MHz e 1.600 MHz, e a última modificação tem 1.866 MHz. Ao fazer overclock da memória, sua frequência pode ser aumentada para 2.400 – 2.666 MHz. O valor máximo deste parâmetro durante overclock, obtido em laboratório, é 4620 MHz.
• Tensão. O consumo de energia varia na faixa de 1,5 – 1,8 V. Versão mais recente DDR3L é capaz de operar em baixa tensão de 1,25 - 1,35 V. O índice L significa Baixo consumo de energia.
• Tempo de inatividade. Para determinar o desempenho de um cartão de memória, um dos parâmetros importantes são os tempos ou latência (CL), ou seja, o atraso na transferência de informações. DDR3 1600 MHz tem latência de 9 ciclos de clock e leva 1 segundo para obter o valor temporário. divida por 1.600 milhões de ciclos de clock e obtemos 0,625 ms por ciclo de clock. Multiplicamos o resultado por 9 ciclos de clock e obtemos 5,625 ns. A seguir, multiplicamos por 2 (o número de fluxos de transmissão de dados) e a latência é 11,25 ns.

Conselho. O valor da latência pode ser determinado a partir das marcações da RAM após as letras CL. Assim, quanto menor for o seu valor, maior será o desempenho do dispositivo.

DDR4

A RAM de quarta geração tem parâmetros mais altos características técnicas, devido ao qual ignora seu antecessor.

Comparação de DDR3 e DDR4

Com base nas características técnicas, fica claro que a latência do DDR4 é superior à do seu antecessor. Porém, ao ler os dados de forma linear ou armazená-los devido a temporizações praticamente inalteradas, essa diferença é compensada e a RAM do quarto modelo vence. Ao trabalhar no modo multithread, devido à menor latência, o DDR3 vence dentro dos limites do erro estatístico. Executando compactação de arquivo tamanho grande(volume de 1,5 GB e superior), o tempo gasto na operação para DDR4 é 3% menor que para DDR3. A especificação RAM de terceira geração prevê o uso de tensão Vddr. Ao realizar operações com uso intensivo de energia, aumenta devido aos conversores integrados, gerando calor abundante. O módulo DDR4 recebe a tensão necessária de uma fonte de alimentação externa (Vpp).

A RAM do quarto modelo implementa a tecnologia Pseudo-Open Draid, que permitiu eliminar completamente o vazamento de corrente, observado em versão anterior, onde a lógica terminada em série-stub é usada. A utilização desta interface para entrada e saída de dados reduziu o consumo de energia em até 30%. Quanto à capacidade de memória da barra DDR4, o valor mínimo é de 4 GB, e para DDR3 é ideal porque o máximo é de 8 GB. A estrutura RAM de terceira geração permite até 8 bancos de memória com comprimento de linha de 2.048 bytes. A última modificação da RAM possui 16 bancos e um comprimento de linha de 512 bytes, o que aumenta a velocidade de troca entre linhas e bancos.

A partir de uma comparação entre DDR3 e DDR4, podemos concluir que a última geração de RAM supera seu antecessor em quase todos os aspectos, mas essa diferença é pouco perceptível para usuário normal. DDR3L 1600 MHz em combinação com Intel Core i5 é quase tão bom quanto DDR4. RAM de quarta geração é recomendada para jogos modernos ou trabalho em programas especializados, que requerem uma grande quantidade de memória e alta velocidade processamento de dados.

Comparação de RAM DDR 3 e DDR 4: vídeo

A JEDEC Solid State Technology Association, anteriormente conhecida como Electron Devices Engineering Council (JEDEC), é uma organização independente de engenharia, comércio de semicondutores e órgão de padronização.
Por mais de 50 anos, a JEDEC tem sido líder global no desenvolvimento de padrões abertos e publicações para a indústria microeletrônica.

A organização padronizadora JEDEC Solid State Technology Association apresentou a versão final oficial da especificação para o padrão RAM Synchronous DDR4 (Double Data Rate 4).

A sua introdução visa garantir um novo nível de desempenho da RAM, a sua fiabilidade e a redução do consumo de energia.

A memória DDR4 inclui uma série de avanços modernos que permitirão que o novo tipo de memória se difunda em dispositivos de computador - de eletrodomésticos a servidores e sistemas de computador ainda mais poderosos.

O nível de desempenho por slot em DDR4 é definido em 1,6 bilhão de transferências por segundo, com possibilidade de atingir um nível máximo de 3,2 bilhões/s no futuro.
A frequência operacional mínima da memória DDR4 é de 2.133 MHz a 4.266 MHz, 1.000 MHz a mais que sua antecessora (1.333 MHz e 1.666 MHz no padrão da geração anterior).

Para memória de 2.133 MHz (a frequência mais baixa para memória DDR4), a taxa de transferência máxima é 2.133 x 8 = 17.064 MB/s.
Para memória rodando a 4.266 MHz (a frequência mais alta especificada no padrão), a taxa de transferência máxima é 4.266 x 8 = 34.128 MB/s.

A tensão operacional é reduzida: 1,1 V - 1,2 V versus 1,5 V em DDR3.
O processo técnico proposto é 32 e 36 nm.

A arquitetura DDR4 permite pré-busca de 8 bits de dados por clock (8n pré-busca) com dois ou quatro grupos selecionáveis ​​de blocos de memória.
Isso permite que os dispositivos executem operações independentes de ativação, leitura, gravação e atualização por meio de blocos de memória separados.

Todos os recursos acima, bem como uma série de pequenas alterações e inovações, aumentaram significativamente a eficiência da memória DDR4.

Um módulo DDR4 possui 284 pinos, enquanto os módulos DDR3 padrão possuem apenas 240 pinos.
A versão SO-DIMM contará com 256 pinos, enquanto os SO-DIMMs DDR3 terão apenas 204 pinos.

Nas especificações DDR4, pela primeira vez, apareceu uma descrição de como trabalhar com memória em embalagens multi-chip.
O padrão permite uma coluna (pilha) de oito cristais.
Além disso, todos os cristais estão “pendurados” em linhas de sinal comuns.
Isso foi feito não porque seja melhor assim (embora simplifique as etapas para expandir o espaço de memória), mas porque em geral a ideologia da memória DDR4 é conectar módulos com controladores ponto a ponto. .

Haverá muitos canais, não dois ou quatro, portanto cada um deles precisa fornecer o melhor desempenho possível sem sobrecarregar os mecanismos de troca.
Na mesma linha, devemos considerar a possibilidade de operação simultânea independente de dois ou quatro bancos de memória.
Para cada grupo de bancos, todas as operações básicas, como leitura, gravação e regeneração, são permitidas arquiteturalmente simultaneamente.

Segundo previsão da iSuppli, até 2014 o nível de penetração no mercado de memória DDR4 será de 12%, até 2015 - 56%.
No entanto, os fabricantes podem apressar-se a implementar a nova norma, motivados pelo desejo de aumentar os preços dos seus produtos, que actualmente se encontram num nível extremamente baixo.

A Micron, por exemplo, anunciou em maio o desenvolvimento do primeiro módulo completo e planeja iniciar a produção em massa no final deste ano.
A Samsung já demonstrou a memória PC4-17000 de 284 pinos (2133 MHz).
Resta esperar pelo apoio da Intel e da AMD.

Intel planeja iniciar suporte DDR4 no início de 2014 em 4 soquetes topo de linha sistemas de servidor nos processadores Haswell-EX, os usuários comuns provavelmente terão que esperar até 2015, já que nem os processadores Haswell de 22 nm nem os processadores Broadwell subsequentes de 14 nm suportam DDR4.

O padrão DDR4 é apenas um dos primeiros passos para a adoção generalizada da memória da próxima geração.

As aplicações para memória DDR4 incluem servidores, laptops, desktops e produtos eletrônicos de consumo.
Primeiro, o DDR4 aparecerá em sistemas de servidores e, depois disso, começará a produção em massa dessa memória para computadores de consumo.

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Relativamente pouco tempo se passou desde que a RAM DDR3 moderna substituiu os módulos DDR2 usuais e gradualmente passou de um prazer exótico caro com desempenho questionável para um produto de massa exigido por todos os segmentos de mercado. Mais recentemente - cerca de três anos atrás, ao compilar um FAQ sobre DDR3, na maioria dos casos tive que falar sobre os recursos do DDR3 no futuro.

O surgimento de um novo padrão de RAM DDR4 está chegando. De acordo com especialistas da JEDEC Solid State Technology Association (anteriormente Joint Electron Devices Engineering Council), uma organização industrial independente para o desenvolvimento e adoção de padrões na indústria de semicondutores, os primeiros protótipos de módulos DDR4 SDRAM aparecerão no próximo ano, quando o final especificações do padrão são finalizadas. O início da produção comercial em massa de DDR4 está atualmente planejado para 2012, e uma transição em grande escala de DDR3 para DDR4 é esperada perto de 2015.

Até recentemente, relativamente pouco se sabia sobre o padrão DDR4, que foi apresentado pela primeira vez no Intel Developer Forum em São Francisco em 2008. Em geral, foram discutidas as próximas frequências de clock, tensão de alimentação e padrões de processo esperados. Não houve detalhes específicos sobre a arquitetura do chip, topologia da interface ou parâmetros de sinal. De um modo geral, ainda não há total clareza sobre estas questões, mas as conferências Denali MemCon10 e MemCon Tokyo 2010, realizadas no final de Julho em Santa Clara e Tóquio, acrescentaram alguma certeza ao padrão futuro.

Graças ao Denali, nossa empresa tem à sua disposição um conjunto completo de relatórios, apresentações e discussões divulgadas como parte do MemCon10, por isso hoje trazemos à sua atenção um “aperto” de informações conhecidas sobre o futuro do DDR4.

⇡ Como e por que DDR3 retarda o surgimento de DDR4

Primeiro de tudo, você precisa entender uma coisa coisa simples: Vá para novo padrão não ocorre por ordem superior ou por capricho de alguém, mas devido à incapacidade dos produtos da geração anterior de lidar com as tarefas atribuídas. Ou seja, a necessidade de DDR4 surgirá imediatamente após o DDR3 esgotar completamente suas capacidades.

Esta é precisamente a principal intriga com o adiamento da implementação do DDR4 para uma data posterior ao planeado anteriormente. Isto foi discutido em detalhes durante o MemCom10 por Bill Gervasi, vice-presidente da US Modular e membro do conselho de administração da JEDEC. Hoje, os recursos da arquitetura DDR3 dificilmente podem ser considerados esgotados, então, por enquanto, faz sentido continuar o desenvolvimento desse padrão. E quanto mais conseguirmos extrair do DDR3, mais a implementação do DDR4 será atrasada.

Vejamos a situação atual. Tradicionalmente, o desempenho de uma nova geração de memória geralmente começa nas posições onde a geração anterior “engasgou”. Lembremos que a memória DDR3 começou em DDR3-1066, onde parou a expansão da memória de massa DDR2 (DDR2-400/1066).

Hoje, a memória DDR3-1333 é um padrão industrial amplamente aceito. Existem muitos módulos de memória DDR3-1600 no mercado, existem DDR3-1866 e inúmeras opções não padrão, como DDR3-2000.

Anteriormente, esperava-se que as capacidades da memória de massa DDR3 se esgotassem em algum lugar próximo ao nível de desempenho da DDR3-1600. A partir deste ponto de partida, esperava-se que a memória DDR4 aumentasse, mas mais recentemente as especificações DDR3 foram expandidas para incluir uma versão padronizada, DDR3-2133.

Assim, na presença de módulos DDR3-2133 padrão certificados, a aparência da memória DDR4-1600 simplesmente perde todo o significado. Um roteiro moderno e mais realista, anunciado na conferência MemCon10, sugere que dentro do padrão DDR4, a velocidade dos módulos será de DDR4-2133 a DDR4-4266.

No entanto, o desempenho crescente não é o único “trunfo” que prolonga a vida do padrão DDR3 e atrasa o aparecimento do DDR4. Outro ponto importante- consumo de energia diretamente relacionado à tensão de alimentação dos chips de memória. Inicialmente foi assumido que a tensão de alimentação da nova memória DDR4 seria de 1,2 V, e então surgiriam novas gerações de chips com tensões de alimentação de 1,1 V e 1,05 V. Ao mesmo tempo, para DDR3, introduzidos pela primeira vez em 1,5 V. versão , a expansão deveria ter terminado nos atuais chips de 1,35 V. No entanto, o lançamento da memória DDR3 de baixa tensão com tensão de alimentação de apenas 1,25 V torna prematura a introdução da memória DDR4 de 1,2 V, uma vez que mais altas frequências Os trabalhos de memória aumentam significativamente o consumo de energia.

O terceiro ponto importante é a capacidade crescente dos módulos, e aqui o DDR3 novamente não está pronto para ceder terreno. O surgimento de chips DDR3 de baixa tensão com capacidades de 4 Gbit e 8 Gbit possibilita o lançamento da produção de módulos de memória muito espaçosos e com baixo consumo de energia, o que também torna o surgimento do DDR4 irrelevante em um futuro próximo.

⇡ O mundo nunca mais será o mesmo: nova arquitetura e topologia de DDR4

Ao mesmo tempo, durante a transição da memória DDR2 para DDR3, os desenvolvedores do novo padrão da época deram um passo revolucionário. A típica topologia de conexão de barramento de memória DDR2 “estrela” foi substituída por uma topologia de rede (Fly-by) de barramentos de comando, endereço e controle, com terminação no módulo (On-DIMM) e resistores externos de precisão (resistores ZQ) no circuitos de calibração.

Porém, por mais que a corda torça, o barramento com topologia multiponto de linhas de transmissão de dados ainda chega ao fim, como aconteceu há muito tempo com a memória gráfica GDDR. As velocidades não são as mesmas hoje, os requisitos para o volume de dados transmitidos não são os mesmos.

Como disse Bill Gervasi inequivocamente: " O ônibus multiponto deve morrer“Com relação ao padrão DDR4, isso significa que o lugar da topologia multiponto será ocupado pelas conexões ponto a ponto, caso contrário não haverá um aumento significativo de desempenho.

Segue-se que o subsistema de memória DDR4 suportará apenas um único módulo de memória por canal. É improvável que isso tenha um impacto significativo nos mercados de PCs móveis e desktop, embora aumentar a quantidade de RAM não prejudique ninguém, mas esta questão será mais importante para o mercado de servidores. Como aumentar a quantidade de memória sob restrições de canal tão rígidas?

Várias maneiras de sair da situação foram inventadas hoje.

A primeira é a mais lógica: é preciso aumentar a capacidade dos próprios chips e módulos de memória. Um dos métodos promissores é a produção de chips multicamadas utilizando a tecnologia TSV (Through-Silicon Via), também chamada de “volumétrica”, ou simplesmente 3D.

A tecnologia TSV tem apenas uma semelhança distante com chips de memória flash multicamadas (MLP), mas essa analogia ajuda a compreender a essência da formação de chips nos termos mais gerais. A ideia, aliás, não é nova, já que em 2007 a Samsung Electronics anunciou o lançamento dos primeiros chips DRAM multicamadas de 512 Mbit usando tecnologia TSV.

É essa tecnologia que o consórcio Elpida Memory, Powertech Technology e United Microelectronics (UMC) planeja usar para lançar DDR4. Juntos, eles pretendem desenvolver a tecnologia TSV (Through-Silicon Via) para produzir chips 3D multicamadas combinando lógica e memória. O projeto desenvolverá tecnologia para a produção de chips multicamadas para a tecnologia de processo de 28 nm baseada em tecnologias DRAM da Elpida, fábricas de montagem PTI e instalações de produção lógica UMC. Assim, está planejado o lançamento de chips de memória DDR4 relativamente baratos e com capacidade muito alta.

A Hynix também está trabalhando ativamente na implementação da tecnologia TSV e na Denali MemCon10 falou sobre seus próprios planos para produzir chips DDR e GDDR de alta capacidade para os próximos anos. Segundo representantes da empresa, o desenvolvimento de técnicas de utilização do TSV está ainda no início e é difícil avaliar quais benefícios isso poderá trazer no futuro.

Outro método conhecido e já comprovado é o uso da chamada técnica de “descarregamento de memória” - LR-DIMM (Load-Reduce DIMM). A essência da ideia é que o módulo de memória LR-DIMM inclua um chip especial (ou vários chips) que armazena em buffer todos os sinais do barramento e permite aumentar a quantidade de memória suportada pelo sistema.

Por exemplo, hoje Samsung e a Micron já dominam a tecnologia para produção de módulos de memória DDR3 LR-DIMM de 32 GB. Nada limita o uso desta tecnologia ao lançar memória DDR4. É verdade que não devemos esquecer talvez a única, mas não menos significativa, desvantagem dos LR-DIMMs: o buffer leva inevitavelmente a um aumento adicional na latência, que para a memória DDR4, por definição, já será bastante grande.

Para o segmento de servidores e computação de ponta, onde é necessária uma quantidade muito grande de memória, é proposta uma saída completamente diferente. Ele pressupõe o uso de comutação de alta velocidade com chips especiais de comutação de múltiplas entradas.

Como se sabe, a latência CAS (o atraso entre o envio de um endereço de coluna para a memória e o início da transferência de dados) da memória DDR3 atual é de 5 a 16 ciclos de clock, para GDDR5, respectivamente, de 5 a 36 ciclos de clock; enquanto o tRFC para DDR3 é de 90 a 350 ns. Em particular, para memória DDR3-2133, os tempos típicos são 12-12-12 versus 9-9-9 para muitos módulos DDR3-1333. Infelizmente, ainda não podemos estimar os tempos e a latência da memória DDR4, mesmo teoricamente, porque, deixe-me lembrá-lo, o lançamento das especificações DDR4 finais está planejado pela JEDEC não antes de 2012. O buffer de pré-busca 8n, projetado para buscar 8 palavras de dados por acesso à memória em DDR3, irá de fato substituir o Prefetch16 em DDR4, mas é difícil avaliar exatamente como isso afetará o desempenho geral sem conhecer as outras características principais do DDR4.

⇡ Vamos resumir

Já agora, muito antes dos primeiros módulos de memória DDR4 SDRAM aparecerem nas prateleiras de nossas lojas, podemos afirmar com segurança: o processo de transição de DDR3 para DDR4 será mais complexo e demorado do que a transição de DDR2 para DDR3, que, como nós todos se lembram, também não havia açúcar e acabou recentemente.

Será mais difícil para todos - tanto fabricantes de chips quanto fabricantes de módulos de memória. Devido a mudanças na topologia e na arquitetura de memória, será mais difícil tanto para os fabricantes de placas-mãe quanto para os integradores de sistemas. É claro que nós, os usuários finais, também o receberemos, que acabarão pagando por toda essa “celebração” de transição para novos padrões de suas carteiras.

Em parte, a transição para novo tipo a memória é prejudicada pelo despreparo técnico da indústria para o lançamento do DDR4. Por exemplo, para produzir chips de memória DDR4 com uma tensão de alimentação de pelo menos 1,2 V, você deve primeiro dominar realmente a tecnologia de processo de 30 nm, mas o resultado não será o chip mais econômico, mesmo em comparação com as atuais variantes DDR3 de 1,25 V. devido ao maior consumo de energia em frequências operacionais mais altas. Menor tensão de alimentação para núcleos de transistores e, consequentemente, menor consumo de energia dos chips só serão possíveis com o desenvolvimento de padrões de processo de aproximadamente 20 nm, o que não acontecerá antes de 2012-2013.

A necessidade urgente de memória mais potente pode agora ser reduzida expandindo as especificações DDR3 para suportar o modo DDR3-2133, o que reduz a necessidade do surgimento urgente de uma nova geração de memória. É improvável que a versão inicial do DDR4-1600 seja lançada devido à sua irrelevância.

Hoje presume-se que os módulos de memória DDR4 serão apresentados em variantes de DDR4-2133 a DDR4-4266. Espera-se que os primeiros chips DDR4 produzidos em conformidade com os padrões de processo de 32 nm/36 nm apareçam no próximo ano, 2011, e a versão final do padrão DDR4 seja adotada pela JEDEC em 2012.

Então, um épico plurianual começa a substituir gradualmente o DDR3 pelo DDR4, que, de acordo com estimativas preliminares, se manifestará de forma séria em 2015, e então a situação começará a se desenvolver progressivamente.

Então, de qualquer forma, por hoje só há uma conclusão principal: ainda temos alguns anos tranquilos com memória DDR3.

DDR3 versus DDR4. Quem é mais legal?

Boa tarde, queridos leitores. Muitas pessoas têm dúvidas sobre qual RAM escolher DDR3 ou DDR4? Qual é a diferença entre eles e qual é melhor para jogos? Hoje vamos entender todas essas questões e abordar questões relacionadas a este tópico. É claro que já entendemos o assunto, mas hoje nos deteremos com mais detalhes nesses dois tipos de memória. Por que? Porque nem todos podem fazer sua escolha facilmente. Nós vamos ajudar!

Como você sabe, a tecnologia DDR4 apareceu no mercado junto com os processadores de 6ª geração da Intel sob o codinome Lago Sky(lago celestial). Assim, é aconselhável usar DDR4 apenas com novos processadores de 6ª e 7ª gerações (e superiores).

Mas ainda não se sabe qual geração os processadores começarão a suportar.

Qual é a diferença entre DDR3 e DDR4?

Você provavelmente sabe que a RAM não se desenvolve tão rapidamente quanto os processadores. Uma nova geração de processadores é lançada quase todos os anos, mas a RAM DDR3 ocupa firmemente o mercado desde 2007. Mais precisamente, apareceu em 2007 e em 2010 substituiu o DDR2. Agora vamos falar sobre as principais diferenças entre a memória DDR4 e a geração anterior.

Tecnicamente, claro, a nova geração de RAM é mais avançada (obrigado cap =D). Em primeiro lugar, o consumo de energia (e a dissipação de calor, respectivamente) é reduzido. O cartão de memória DDR3 tinha uma voltagem de 1,5-2 Volts, enquanto para DDR4 a voltagem foi reduzida para 1,05-1,2 Volts. Embora isso seja mais perceptível para servidores do que para animais de estimação. Em segundo lugar, aumentou faixa de frequência. DDR3 operava em frequências de 800 MHz a 2.933 MHz, e DDR4 inicia a faixa na frequência de 2133 MHz e termina em 4400 MHz, mas aparentemente este não é o limite. Julgue por si mesmo quão mais significativa será a diferença no desempenho dessa memória.

DDR3 – de 800 a 2.933 MHz

DDR4 – de 2133 a 4400 MHz+

O DDR3 pode ser inserido em um slot DDR4 ou vice-versa?

Muitas pessoas se perguntam sobre a compatibilidade desses dois tipos de RAM. Bem, que tipo de compatibilidade DDR3 e DDR4 podem ter? Do que você está falando? Se você observar atentamente o formato dos próprios cartões de RAM, verá que eles são um pouco diferentes. Cada geração de RAM especial (DDR, DDR2, DDR3 e DDR4) é ligeiramente diferente das demais. O entalhe (chave), que fica ao lado dos contatos, está localizado em um local diferente em cada tipo de memória, evitando tentativas de inserir a tira no slot errado.

O DDR3 pode ser inserido em um slot DDR4?

• Você não pode inserir um stick de RAM DDR3 em um slot DDR4!
• Também é impossível inserir um stick de RAM DDR4 em um slot DDR3!

Há, no entanto, uma advertência. Acontece que a placa-mãe possui slots separados para memória DDR3 e DDR4. Digamos que você decida atualizar seu computador. Remova a memória DDR3 de seus slots e insira DDR4 em OUTROS slots, para aqueles que se destinam especificamente para RAMDDR4. Não há outra maneira!

Se de repente você perceber que não tem RAM suficiente em seu computador, confira nossas dicas sobre isso em um artigo que vai ajudar fisicamente e muito mais.

DDR3 ou DDR4, qual é melhor?

Pergunta capciosa. Parece que todo mundo já percebeu que DDR4 é mais novo, mais rápido e mais econômico, mas eis a questão. Mesmo assim, vamos descobrir o que é melhor?

E aqui está o problema! Se tomarmos, por exemplo, DDR3 2400 MHz E DDR4 2400 MHz, então nessa luta ele vai vencer... vai vencer... adivinha quem?... DDR3! Por que isso está acontecendo? Existe uma característica na RAM chamada tempo de latência. É mais ou menos assim: 9-9-9-24 ou 9-10-10-24. Em geral, quanto menor for este indicador, maior será a velocidade da RAM.

E aconteceu que, devido à sua arquitetura, o DDR4 possui temporizações mais altas que o DDR3. É por isso que quando mesmas frequências Nos testes, a memória DDR4 é ligeiramente inferior à memória DDR3. Mas assim que você pegar memória DDR4 com frequência de 3200 ou 4000 MHz, notará uma grande diferença em favor do DDR4!

Agora pense no que é melhor DDR3 ou DDR4? Tudo depende de muitos fatores. Por exemplo, que frequência de RAM a sua suporta, ela tem potencial para desenvolvimento adicional.

RAM de diferentes gerações em jogos

Melhor RAM (de DDR3 e DDR4)

Vamos dar uma olhada em várias lojas online e tentar determinar quais faixas (conjuntos) de RAM podem reivindicar o título " Melhor RAM» no atual 2018 ano. Veremos os melhores representantes dos tipos DDR3 e DDR4 e listaremos os principais parâmetros e o fabricante na tabela. Observe e analise.

DDR4

DDR3

Com base nos dados apresentados nas tabelas, não posso afirmar que a escolha entre duas gerações de RAM tenha se tornado mais óbvia. Tudo permaneceu tão obscuro quanto antes. No DDR4, as frequências aumentaram, mas junto com elas, os tempos de latência também aumentaram. Se não estiver claro como o desempenho foi calculado, no artigo sobre você poderá aprender mais sobre esse cálculo. Claro que esta relação não é a ideal, mas é melhor que nada.

Compatibilidade e intercambialidade de DDR3 e DDR3L

Em geral, a única diferença entre DDR3 e DDR3L é que DDR3 opera a 1,5 Volts, enquanto DDR3L opera a 1,35 Volts. Ou seja, é um pouco mais econômico. O seguinte pode ser dito sobre compatibilidade e intercambialidade: você pode inserir DDR3L em um slot DDR3, tudo caberá e funcionará. Além disso, na maioria dos casos, DDR3 e DDR3L poderão funcionar simultaneamente, mas nem sempre. Se você quiser economizar dinheiro, faça-o por sua própria conta e risco.

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